浩广配资英诺赛科早盘涨逾17% 纳微与英伟达合作下一代800V电力架构

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　　英诺赛科（02577）早盘股价上涨16.76%浩广配资，现报40.05港元，成交额2.96亿港元。

　　消息面上，纳微半导体美股盘后暴涨超200%。当地时间5月21日，纳微半导体宣布与英伟达合作开发下一代800伏高压直流（HVDC）架构，为包括Rubin Ultra在内的GPU提供支持的“Kyber”机架级系统供电。据悉，纳微半导体专注于下一代功率半导体技术，致力于开发高性能的氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）功率器件。纳微半导体的氮化镓和碳化硅技术可在一定程度上大幅提升“Kyber”机架级系统的能效比、散热管理和系统可靠性，将在与英伟达的合作中发挥关键作用。

　　公开资料显示，英诺赛科是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓（GaN-on-Si）研发与产业化的高新技术企业，采用IDM模式，集芯片设计、外延生长、芯片制造、封测于一体。该公司上月发布了自主开发的1200V氮化镓（GaN）产品，该款产品凭借宽禁带特性，在高压高频场景优势显著，具备零反向恢复电荷的核心优势，有助于进一步推动能源转换系统的效率提升和小型化，可广泛应用于新能源汽车、工业以及AI数据中心等领域。